Кристаллические диоды для полупроводника p-типа и образование pn-перехода полупроводника n-типа в слое пространственного заряда формируется с обеих сторон границы раздела, и с тех пор создается электрическое поле. Когда нет внешнего напряжения, результат pn перехода по обе стороны от диффузионного тока градиента концентрации носителей и созданного электрического поля дрейфующего тока в электрическом равновесии одинаков.
Когда снаружи, когда есть положительное смещение напряжения, внешнее электрическое поле и эффект взаимного подавления электрического поля для увеличения диффузии носителей вызвал прямой ток.
Когда снаружи, когда есть напряжение обратного смещения, построение электрического поля внешним электрическим полем и дальнейшее усиление и формирование определенного диапазона обратного напряжения значения напряжения обратного смещения обратного тока насыщения I0.
Когда обратное напряжение до определенной степени, напряженность электрического поля pn-перехода в процессе умножения носителей слоя пространственного заряда достигает критического значения, образует большое количество электронно-дырочных пар, настолько велик, что возникает ток обратного пробоя, известный как явление пробоя диода.