Радиационная характеристика полупроводникового или вертикального стекового диодного лазера (hereinafter, именуемого "Вертикальный стек Diode Laser") характеризуется тем фактом, что радиация, характерная для полупроводникового или вертикального стека Diode Laser (hereinafter, именуемая "Vertical Stack Diode Laser"), отличается от обычного источника света лазерного луча> диаметром в несколько миллиметров, имеющих низкий диапазон дивергенции IOOOmrad. Это вызвано выходным слоем, который ограничен
Для того, чтобы получить вертикальный стек Диод Лазерная мощность 20-40 Вт, множество лазерных излучателей объединяются на так называемой лазерной полосе для формирования лазерной сборки. Обычно 10-50 отдельных наборов излучателей расположены в ряд в плоскости, параллельной активному слою. Окончательный луч таких брусков имеет угол диафрагмы около 10 градусов и диаметр пучка около IO мм в плоскости параллельно активному слою. Окончательное качество пучка в этой плоскости во много раз ниже, чем качество конечного луча в плоскости перпендикулярно активному слою. Даже если угол расхождения лазерного чипа может быть уменьшен в будущем, совершенно другое соотношение качества луча перпендикулярно и параллельно активному слою все равно будет присутствовать. В результате вышеупомянутых характеристик луча луч имеет очень большую разницу в качестве пучка как в вертикальном, так и в параллельном направлениях в активном слое. Концепция качества балки в данном случае описывается параметром М2. M2 определяется кратным расхождением пучка диодного луча лазерного луча Vertical Stack Diode Laser, который расходится над диаметром луча того же диаметра. В вышеупомянутом случае диаметр балки, более чем в 10 000 раз больше диаметра светового луча в вертикальной плоскости, получается в плоскости, параллельной активному слою. Дивергенция пучка отличается, то есть почти половина дивергенции пучка получена в плоскости параллельно активному слою или на медленной оси. Таким образом, параметр M2 в плоскости, параллельный активному слою, превышает несколько порядков величины значения M2 в плоскости перпендикулярно активному слою. Одной из возможных целей лучевой формы является получение скорости света, имеюющей почти одинаковое значение M2 в двух плоскостях, т.е. перпендикулярно и параллельно плоскости активного слоя. В настоящее время известны методы формирования геометрии пучка, с помощью которых качество близкого луча получается в двух основных плоскостях луча. Использование волоконного галстука, путем организации оптического волокна для формирования круговой бар может быть объединена с линейной секции пучка. Кроме того, существует методика вращения луча, при которой излучение отдельных излучателей вращается на 90 градусов, чтобы тем самым переустроить, в котором световой луч расположен в направлении оси более высокого качества луча. Следующие устройства известны для этого метода, US5168401, EP0484276, DE4438368. Все эти методы имеют одну общую черту, т.е. после коллимации излучение лазера Вертикального стека вращается на 90 градусов в направлении быстрой оси для выполнения медленной коллимации оси с использованием общей цилиндрической оптики. В качестве модификации метода также возможен непрерывный линейный источник света (т.е. высокая плотность поверхности, вид вертикального стека Diode Laser, коллимированный в направлении быстрой оси), профиль луча которого (линия) делится после оптического элемента, а затем расположен в виде существования. Кроме того, перестановка излучения отдельных излучателей может быть выполнена без какого-либо вращения луча, где перестановка излучения достигается, например, путем параллельного смещения (смещения) с помощью параллельных зеркал. Устройства, которые используют технику перепозиционирования, также описаны в DE 1954488. В этом случае излучение вертикальной лазерной полосы Stack Diode отклоняется в разных плоскостях и коллимируется там отдельно. Недостатки этого предыдущего искусства могут быть обобщены, в частности, в оптическом волокне в сочетании Вертикальный стек Диод Лазеры, где световые лучи, имеющие очень разные массы пучка в обоих осях направлениях, как правило, связаны в оптическое волокно. В случае кругового волокна это означает, что возможная численная диафрагма или диаметр волокна не используются в одном осям направлении. Это приводит к значительной потере плотности мощности, которая на практике ограничена около 104 Вт / см. В описанном выше известном методе разница в длине пути в некоторых случаях должна быть дополнительно компенсирована. Это делается в первую очередь за счет компенсации только дефекта в ограниченной степени калибровки призмы. Многочисленные отражения предъявляются дополнительные требования к точности выравнивания, допусков производства и стабильности компонентов. Светоотражающая оптика (например, из меди) имеет высокое значение поглощения. Известно также, что лазерная оптическая система типа формирования узора для реконструкции по крайней мере одного лазерного луча с использованием по крайней мере двух оптических элементов изменения формы, непрерывно распределенных по пути луча, настроена как так называемая плоская панель. В известных вертикальных стек диодных лазеров, излучаемая мощность вертикального стека Диод лазерное устройство ограничено и особенно ограничено доступных лазерных полос с ограниченной длиной, таких, как длина около IOmm на их медленной оси (плоскость эмиссионного слоя) Типичная мощность световой мощности лазерной полосы, например, в диапазоне 250 Вт максимум. В связи с тем, что тепловые раковины используются в лазерном диодном устройстве, которое будет использоваться, в частности, тепловые раковины поддержки лазерных полос в направлении быстрой оси, в котором лазерные полосы обеспечивают смещения по отношению друг к другу в стек-как образом, Необходимость оптических элементов для быстрой коллимации оси обеспечивается на отдельных лазерных полос, так что плотность стека лазерных полос ограничена в стеке