В PN-переходе некоторых полупроводниковых материалов, когда неосновной носитель объединяется с основным носителем, избыточная энергия будет высвобождаться в форме света, таким образом, непосредственно преобразовывая электрическую энергию в световую энергию. , а неосновные носители трудно вводить, поэтому они не излучают свет. Такой диод, изготовленный по принципу инжекционной электролюминесценции, называется светоизлучающим диодом, или сокращенно светодиодом. светодиоды обычно используются в световых индикаторах бытовой техники. , противотуманные фары в автомобилях и др. Они обладают длительным сроком службы и высокой эффективностью фотоэлектрического преобразования.
LD - сокращение от лазерного диода. Физическая структура лазерного диода заключается в размещении слоя фотоактивного полупроводника между переходом светодиода, а его торцевая поверхность выполняет функцию частичного отражения после полировки, образуя оптический резонатор. В случае прямого смещения переход светодиода излучает свет и взаимодействует с оптическим резонатором, тем самым дополнительно возбуждая излучение света одной длины волны из перехода, физические свойства которого зависят от материала. Принцип работы полупроводникового лазерного диода теоретически такой же, как и у газового лазера. Лазерные диоды широко используются в оптических приводах компакт-дисков на компьютерах и в маломощных оптоэлектронных устройствах, таких как печатающие головки в лазерных принтерах.
Принципиальная разница в архитектуре и производительности
1. Различие в принципе работы: LED - это спонтанное излучение составного излучения носителем, введенным в активную область, а LD - комбинированное излучение вынужденного излучения. Направление фотонов, испускаемых светодиодами, является случайным, и фотоны, испускаемые LD, имеют одинаковое направление и синфазны.
2. Различие в архитектуре: LD имеет оптический резонатор, так что генерируемые фотоны колеблются и усиливаются в резонаторе, а светодиод не имеет резонансной полости.
3. Разница в характеристиках: светодиод не имеет критических значений, спектральная плотность на несколько порядков выше, чем у LD, выходная мощность светодиода мала, угол расхождения большой.
 |  |