Общие параметры полупроводниковых лазеров можно разделить на: длину волны и пороговый ток Ith, ток Iop, угол вертикальной расходимости θ ⊥, уровень угла расходимости θ ∥, контрольный ток Im.
(1) длина волны: длина волны лазерной трубки, доступная для фотоэлектрических переключателей с длиной волны лазерных диодов 635 нм, 650 нм, 670 нм, 690 нм, 780 нм, 810 нм, 860 нм, 980 нм и т. Д.
(2) пороговый ток Ith: лазерное лазерное колебание в начале тока, общая лазерная трубка с низким энергопотреблением, значение в несколько десятков миллионов лет, с напряженной структурой с несколькими квантовыми ямами, низкий пороговый ток лазера 10 мА или меньше.
(3) ток Iop: ток возбуждения лазерных трубок при номинальной выходной мощности, это значение более важно для проектирования и отладки схемы, управляемой лазером.
(4) угол вертикального расхождения θ θ: угол излучения лазерного диода в вертикальном направлении открытого PN перехода, обычно около 15 °, следует за ~ 40 °.
(5) уровень угла расходимости θ ∥: лазерный диод, излучающий в направлении, параллельном открытому углу PN-перехода, обычно около 6 следует за ~ 10 следует.
(6) для контроля тока Im: номинальная выходная мощность лазерной трубки, текущие токи трубки PIN.