Полупроводниковые лазеры, также известные как лазерные диоды
Это лазер, использующий в качестве рабочего вещества полупроводниковый материал. Из-за различий в структуре материалов, конкретные процессы для производства различных типов лазеров весьма своеобразны. Обычно используемые рабочие материалы включают арсенид галлия (GaAs), сульфид кадмия (CdS), фосфид индия (InP) и сульфид цинка (ZnS). Режимы возбуждения включают электрическую инжекцию, возбуждение электронным пучком и оптическую накачку. Полупроводниковые лазерные устройства можно разделить на гомопереходы, одиночные гетеропереходы и двойные гетеропереходы. Лазер на гомопереходе и лазер на одинарном гетеропереходе в основном являются импульсными устройствами при комнатной температуре, тогда как лазер на двойном гетеропереходе может работать в непрерывном режиме при комнатной температуре.
Полупроводниковые диодные лазеры - наиболее практичный и важный класс лазеров. Он небольшой по размеру, долгий срок службы и может накачиваться простой подачей тока. Его рабочее напряжение и ток совместимы с интегральной схемой и поэтому могут быть монолитно интегрированы с ней. Также можно напрямую выполнять модуляцию тока с частотой до ГГц для получения высокоскоростной модулированной выходной мощности лазера. Благодаря этим преимуществам полупроводниковые диодные лазеры широко используются в лазерной связи, оптической памяти, оптических гироскопах, лазерной печати, дальномере и радарах.