Диодные лазерные чипы мощностью 2 Вт, 830 нм

Диодные лазерные чипы мощностью 2 Вт, 830 нм

Лазерная планка SE с одним-излучателем, 2 Вт, 830 нм
Отправить запрос
Описание

 

Диодные лазерные чипы мощностью 2 Вт, 830 нм

обзор

 

Особенность:

характеристики устойчивости к высоким температурам

Доступна упаковка COS

Уникальная технология для высочайшей надежности и срока службы

Низкая расходимость луча и небольшая светоизлучающая апертура

Приложение:

Специальный дизайн для печати

Полупроводниковые лазерные модули

Обработка материалов

Дерматология и хирургия.

Оптическая связь в свободном космосе

20W 976nm Unmounted Laser Bar

Примечание. ЗАЩИТА от электростатического разряда. Электростатический разряд является основной причиной неожиданного выхода из строя изделия. Примите крайние меры предосторожности для предотвращения электростатического разряда. При работе с продуктом используйте браслеты, заземленные рабочие поверхности и строгие антистатические методы.

 

 

Техническая спецификация:

Артикул: LC830SM2

Оптический  
Центральная длина волны 830 нм
Выходная мощность 2W
Спектральная ширина на полувысоте 3 нм
Размер эмиттера 40ум
Эффективность уклона 1.2W/A
Быстрое расхождение по оси 35 градусов
Медленное расхождение по оси 10 градусов
Режим поляризации ТЭ
Электрический  
Пороговый ток 0.3A
Рабочий ток 2A
Рабочее напряжение 1.8V
Термальный  
Рабочая температура 25 градусов
Длина волны Темп. Коэффициент 0,28 нм/градус

 

горячая этикетка : Поставщики диодных лазерных чипов 2 Вт 830 нм, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае