160 МВт 1310 нм Высокая мощность Диодный лазерный чип DFB с узкой шириной линии

160 МВт 1310 нм Высокая мощность Диодный лазерный чип DFB с узкой шириной линии

Артикул №: LC1310DFB016
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание

160 МВт 1310 нм Высокая мощность Диодный лазерный чип DFB с узкой шириной линии

 

Функции:

  • Одиночная продольная мода (структура DFB): излучение со стабильной длиной волны и низким уровнем шума.
  • Компактная конструкция чипа: идеально подходит для интеграции в консервную-банку, упаковку-бабочку или нестандартную упаковку.
  • Высокая надежность: проверенная производительность для длительной-непрерывной работы.
  • Соответствует RoHS
  • Температура рабочего корпуса: 0 ~ 75 градусов
 

Приложения:

  • Микроволновая фотоника
  • Оптические испытания и контрольно-измерительные приборы
  • FMCW ЛИДАР
  • Оптическое зондирование
905nm laser chip

Техническая спецификация

Артикул №: LC1310DFB016

Название товара: лазерный чип с одной полосой, 905 нм, 280 Вт

Оптический

Введите

Центральная длина волны

1310 нм

Выходная мощность

160 мВт

Спектральная ширина линии

250 кГц

Эффективность уклона 0.3W/A
Угол отклонения луча, вертикальный 21 градус
Угол отклонения луча, горизонтальный 13 градусов

Электрический

Прямой ток лазерного диода

450 мА

Лазерный диод обратного напряжения

1A

Рабочее напряжение Vop

10V

Эффективность преобразования

40%

Рабочий цикл 0.010%
Частота повторения 5000 Гц

Термальный

 

Рабочая температура

75 градусов

Температура хранения

-40~+100 градусов

 

Рисунок:

3W 1064nm Bare Laser Chip

горячая этикетка : 160 МВт, 1310 нм, высокая мощность, узкая ширина линии, диодный лазерный чип dfb, поставщики, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае