Диодный лазерный чип мощностью 3 Вт, 1550 нм
Диодный лазер мощностью 3 Вт с длиной волны 1550 нм производится под строжайшим контролем качества. Мы работаем только с самыми современными технологиями эпитаксии, обработки и фасетного покрытия. Для сборки лазерных чипов используются стандартные методы пайки. Материал поддерживает как мягкую пайку (индий), так и твердую пайку (золото/олово). Стандартная конфигурация лазерного чипа представляет собой отдельную излучающую структуру на p-стороне. По запросу доступны лазерные чипы с непрерывной металлизацией p-стороны и индивидуальными фасетными покрытиями с использованием покрытий с низким просветлением для монтажа внешних резонаторов.
Спецификация:
Номер позиции: LC1550SE3
|
оптический |
Тип |
|
Центральная длина волны |
1550 нм |
|
Выходная мощность |
3W |
|
Рабочий режим |
CW |
|
Ширина спектра |
10 нм |
|
Ширина излучателя |
96μm |
| Ширина чипа |
500μm |
|
Длина полости |
2000μm |
|
Толщина |
150μm |
| Быстрое расхождение осей (FWHM) | 35 градусов |
| Медленная дивергенция оси (FWHM) | 10 градусов |
| Режим поляризации | ТЭ |
| Эффективность наклона | 0.5W/A |
|
Электрический |
|
|
Рабочий ток Iop |
9A |
|
Пороговый ток Ith |
0.8A |
|
Рабочее напряжение |
1.6V |
|
Эффективность преобразования |
28 процентов |
|
Термальный |
|
|
Рабочая Температура |
25 градус |
|
Температурный коэффициент длины волны |
0.3 морских миль/градус |
ЖИЗНЬ
горячая этикетка : Диодный лазерный чип мощностью 3 Вт, 1550 нм,Диодные лазерные чипы