808 нм, 600 Вт, QCW, 5 бар, G-стековый лазерный диод
Лазерный диод QCW 808 нм, 600 Вт, 5 бар G-Stack обладает характеристиками высокой выходной мощности, отличными возможностями терморегулирования и превосходной надежностью. Собрав несколько чипов вместе, они значительно увеличивают выходную мощность лазера и могут быстро рассеивать тепло, выделяемое двумя чипами, обеспечивая надежность продукта и снижая производственные затраты. Кроме того, горизонтальные многоярусные лазеры также широко используются в промышленной обработке материалов, накачке твердотельных лазеров и научных исследованиях, таких как использование кристаллов Nd для достижения высокой мощности лазерного излучения, и имеют широкие перспективы применения в лазерной радиолокации, связи, трехмерной визуализации и других областях.
Бар 1= в центре 803 нм +/- 1 при 65 градусах Цельсия
Бар 2= в центре 806 нм +/- 1 при 65 градусах C
Бар 3= в центре 809 нм +/- 1 при 65 градусах C
Бар 4= в центре 812 нм +/- 1 при 65 градусах C
Бар 5= в центре 815 нм +/- 1 при 65 градусах C
Техническая спецификация:
Номер товара: CC808HA600
| Оптический | Типичное значение |
| Центральная длина волны | 808±10 нм |
| Выходная мощность | 600W |
| Количество слитков | 6 |
| Рабочий режим | ККВ |
| Быстрое расхождение по оси (FWHM) | 38 градусов |
| Медленное расхождение оси (FWHM) | 12 градусов |
| Частота | 100 Гц |
| Ширина импульса | <200us |
| Рабочий цикл | <2% |
| Электрический | |
| Рабочий ток IOP | 100A |
| Пороговый ток Ith | 15A |
| Рабочее напряжение Vop | 12V |
| Термальный | |
| Рабочая температура | 25 градусов |
| Температура хранения | 0-55 градусов |
Чертеж упаковки:
горячая этикетка : 808 нм, 600 Вт, QCW, 5 бар, G-Stack, поставщики лазерных диодов, производители Китай, фабрика, оптовая торговля, сделано в Китае