Описание
Лазерный чип VCSEL, 150 мВт, 940 нм
Материалы и конструкции
подложка: GaAs
p-металлизация: сплав Au
n-металлизация: сплав Au
эпитаксиальная структура: МКЯ InGaAs
Характеристики
| Параметр | Тип. |
| Центральная длина волны | 940 ± 10 нм |
| Выходная мощность | 150 мВт |
| Прямое напряжение | 1.9V |
| Наклонная эффективность | 0.9W/A |
| Доминирующая длина волны | 42.6% |
| Длина волны Темп. Коэффициент | 0,07 нм / ℃ |
| Обратный ток | 1 мкА |
Связаться с нами:
горячая этикетка : 150 мВт 940 нм vcsel лазерный чип поставщики, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае