8W 808NM COS Лазерный диодный чип на подготовке
8W 808NM COS Лазерный диодный чип на подставке. COS устанавливается в низком тепловой сопротивлении, установке электрического изолятора, низкой температуре соединения и пакете с низкой тепловой сопротивлением продлевает срок службы и повышает надежность.
Особенность:
390um ширина эмиттера, выходная мощность 8 Вт
Чипсы на подставке, небольшой размер
Другие длины волны и выходная мощность доступны
Доступен пакет C-Mount
Приложение:
Рамановская спектроскопия
Военные \/ аэрокосмические
Медицинский и эстетический
Защита и безопасность
Источник лазерной накачки волокна
Техническая спецификация
Пункт №: cos808dl8
| Оптический | |
| Центральная длина волны | 808 нм |
| Допустимость длины волны | 5 нм |
| Выходная мощность | 8W |
| Спектральная ширина FWHM | 4nm |
| Ширина излучения | 390um |
| Быстрая дивергенция (FWHM) | 40Deg |
| Медленная дивергенция (FWHM) | 12deg |
| Электрический | |
| Пороговый ток | 1.25A |
| Эксплуатационный ток | 11A |
| Рабочее напряжение | 1.8V |
| Тепло | |
| Рабочая температура | 15-35 степень |
| Температура хранения | -30-70 степень |
| Длина волны темп. Коэффициент | 0. 3nm\/ степень |
Рисунок:
горячая этикетка : 8W 808NM COS LASER Diode Chip на поставщиках подставки, производители Китай, фабрика, оптовая, сделанная в Китае