200 мВт 850 нм VCSEL на лазерный диод

Многомодовый лазерный диод VCSEL TO56 мощностью 200 мВт, 850 нм

Основные характеристики:

Многомодовый VCSEL

Низковолновой дрейф

Технология выделения оксидов

Высокая надежность

Легко коллимировать

Преимущество:

Температурная чувствительность длины волны: Длина волны излучения лазерного диода VCSEL TO мощностью 200 мВт, 850 нм примерно в 5 раз менее чувствительна к температурным колебаниям, чем у краевых излучателей. Причина в том, что в ВИЛ длина волны генерации определяется оптической толщиной одномодового продольного резонатора и что температурная зависимость этой оптической толщины минимальна (показатель преломления и физическая толщина резонатора слабо зависят от температуры). . С другой стороны, длина волны генерации в торцевых излучателях определяется длиной волны пикового усиления, которая гораздо сильнее зависит от температуры. Как следствие, ширина спектральной линии для массивов высокой мощности (где нагрев и температурные градиенты могут быть значительными) в массивах VCSEL намного уже, чем в массивах с краевыми излучателями (стержневые стеки). Кроме того, при изменении температуры на 20 °C длина волны излучения в лазере VCSEL изменится менее чем на 1,4 нм (по сравнению с ~7 нм для краевых излучателей).

Приложения:

3D датчики

Лидары

ИК-подсветка

Медицинское приложение

Датчики приближения

Медицинское применение

Характеристики:

Предмет номер. VC850TO200

Имя деталя: 200мВ 850нм ВКСЭЛ К лазерному диоду

График LIV и длина волны

Чертеж упаковки:

горячая этикетка : 200mw 850nm vcsel для поставщиков лазерных диодов, производителей Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае