808-нм, 40 Вт, многоэмиттерный чип Vcsel

808-нм, 40 Вт, многоэмиттерный чип Vcsel

Товар №: VC808ME40
Отправить запрос
Описание

 

 
40W 808nm Vcsel Die Diode Laser

 

Лазерный диод с несколькими излучателями VCSEL, 808 нм, 40 Вт
Ключевые особенности

Длина волны: 808 нм

Выходная мощность: 300 Вт

Режим работы: CW

Широкий выбор приложений, таких как: компьютерные мыши, оптоволоконные коммуникации, лазерные принтеры, Face ID и умные очки.

 

Высочайшее качество: Мы тщательно контролируем производство нашей полупроводниковой продукции посредством четко установленных процедур.

 

 

 

Спецификация

Номер товара:ВК808МЕ40

Оптический  
Центральная длина волны 808 нм
Выходная мощность 40W
Допуск на длину волны ±10 нм
Рабочий режим CW
Количество эмиттеров 14513
Ширина спектра 2,5 нм
Электрический  
Рабочий ток 50A
Пороговый ток Lth 10A
Рабочее напряжение Vop 2V
Термальный  
Температура испытания 25 градусов
Температура хранения -40-105 градус
Коэффициент длины волны 0.07 нм/градус

 

product-802-628product-802-622

горячая этикетка : Поставщики микросхем VCSEL с несколькими эмиттерами 808 нм, 40 Вт, производители Китай, фабрика, оптовая торговля, сделано в Китае