Лазерный чип с одним излучателем, 50 Вт, 905 нм
Функции:
- Выходная мощность 50 Вт
- Ширина импульса 100 нс.
- Длина полости 1000 мкм, ширина чипа 400 мкм
- Высокая эффективность преобразования мощности 40%
Приложения:
- Медицина и косметика
- Обработка материалов
- Накачка твердотельных-лазеров
- Научные исследования
Лазерный чип мощностью 50 Вт, не установленный-, имеет высокую мощность, способен работать в режиме прерывистой волны (QCW) с максимальной выходной оптической мощностью до 50 Вт (905 нм). Этот продукт имеет высокую эффективность преобразования мощности. Он оптимизирован для крупносерийного-производства.
Другие длины волн и мощности доступны по индивидуальному заказу. При необходимости обращайтесь к нам!
Техническая спецификация
Артикул №: LC905SE50
|
Оптический |
Введите |
|
Центральная длина волны |
905 нм |
|
Выходная мощность |
50W |
|
Рабочий режим |
ККВ |
|
Ширина спектра |
4 нм |
|
Ширина эмиттера |
135μm |
|
Длина полости |
1000μm |
| Ширина чипа | 400ум |
|
Толщина |
130μm |
| Быстрое расхождение по оси | 30 градусов |
| Медленное расхождение по оси | 10 градусов |
| Режим поляризации | ТЭ |
| Эффективность уклона | 3W/A |
|
Электрический |
|
|
Рабочий ток IOP |
21A |
|
Пороговый ток Ith |
0.9A |
|
Рабочее напряжение Vop |
6.3V |
|
Эффективность преобразования |
40% |
| Ширина импульса | 100 нс |
| Рабочий цикл | 0.01% |
| Частота повторения | 1000 Гц |
|
Термальный |
|
|
Рабочая температура |
25 градусов |
|
Температурный коэффициент длины волны |
0,31 нм/градус |
Рисунок:
Диодный лазер с одним излучателем:
Одним из распространенных методов является группировка нескольких эмиттеров вместе вдоль чипа большой площади, называемого полосой, стопкой полос или монолитной матрицей лазерных диодов, при этом количество диодных эмиттеров на одной полосе варьируется примерно от 10 до 100.
горячая этикетка : Поставщики лазерных чипов с одним излучателем, 50 Вт, 905 нм, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае