Чип-лазер с одним излучателем, 300 мВт, 1064 нм

Чип-лазер с одним излучателем, 300 мВт, 1064 нм

Номер товара: LC1064SE03
Отправить запрос
Описание

Brandnew Technology, один из ведущих производителей и поставщиков диодных лазеров в Китае, имеет профессиональную фабрику, которая производит высококачественный лазер с одним эмиттером мощностью 300 МВт и длиной волны 1064 нм и продает его по конкурентоспособной цене. Добро пожаловать на оптовую продажу нашей продукции, произведенной в Китае.

 

Чип-лазер с одним излучателем, 300 мВт, 1064 нм

 

Функции:

 

  • Длина волны инфракрасного излучения 1064 нм, стабильная выходная мощность CW 300 мВт.
  • Конструкция чипа с одним эмиттером обеспечивает превосходное качество луча
  • низкий уровень шума, в сочетании с TE (термоэлектрическим) охлаждением

 

Приложения:

 

  • Лазерная микрообработка: основной источник света для микро-гравировки, нанесения тонких-пленок
  • Оптическое зондирование и метрология: используется в оптоволоконных гироскопах, интерферометрах и средствах высокоточного-измерения расстояний.
  • Исследования и разработки лазерного модуля: идеально подходят для создания прототипов индивидуальных лазерных систем связи.

product-553-368

 

Чип-лазер с одним излучателем мощностью 300 мВт и длиной волны 1064 нм объединяет работу в непрерывном режиме и охлаждение TE, обеспечивая исключительную стабильность длины волны, низкий уровень шума и высокое качество луча в компактном-чипе. Его настраиваемая конструкция делает его высокопроизводительным-основным компонентом для микрообработки, биомедицинского приборостроения, прецизионного зондирования и разработки лазерных модулей, для которых требуется надежный и стабильный оптический выходной сигнал.

 

Техническая спецификация

Артикул №: LC1064SE03

Оптический Мин Введите Макс Единица
Центральная длина волны 1054 1064 1074 нм
Выходная мощность   300   мВт
Рабочий режим   CW    
Ширина спектра   5   нм
Ширина эмиттера   3   хм
Ширина чипа   250   хм
Длина полости   2000   хм
Толщина стружки   90   хм
Быстрое расхождение по оси (FWHM)   35 40 град
Медленное расхождение оси (FWHM)   9 11 град
Режим поляризации   ТЭ    
Эффективность уклона   0.9 W/A  
Электрический        
Рабочий ток IOP   410   мА
Пороговый ток Ith   100   мА
Рабочее напряжение Vop   1.7   V
Эффективность разговора   40   %
Термальный        
Температура испытания   25   степень
Температурный коэффициент длины волны   0.35   нм/градус

 

 

 

 

 

 

горячая этикетка : Поставщики лазерных чипов с одним излучателем, 300 МВт, 1064 нм, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае