Brandnew Technology, один из ведущих производителей и поставщиков диодных лазеров в Китае, имеет профессиональную фабрику, которая производит высококачественный лазер с одним эмиттером мощностью 300 МВт и длиной волны 1064 нм и продает его по конкурентоспособной цене. Добро пожаловать на оптовую продажу нашей продукции, произведенной в Китае.
Чип-лазер с одним излучателем, 300 мВт, 1064 нм
Функции:
- Длина волны инфракрасного излучения 1064 нм, стабильная выходная мощность CW 300 мВт.
- Конструкция чипа с одним эмиттером обеспечивает превосходное качество луча
- низкий уровень шума, в сочетании с TE (термоэлектрическим) охлаждением
Приложения:
- Лазерная микрообработка: основной источник света для микро-гравировки, нанесения тонких-пленок
- Оптическое зондирование и метрология: используется в оптоволоконных гироскопах, интерферометрах и средствах высокоточного-измерения расстояний.
- Исследования и разработки лазерного модуля: идеально подходят для создания прототипов индивидуальных лазерных систем связи.

Чип-лазер с одним излучателем мощностью 300 мВт и длиной волны 1064 нм объединяет работу в непрерывном режиме и охлаждение TE, обеспечивая исключительную стабильность длины волны, низкий уровень шума и высокое качество луча в компактном-чипе. Его настраиваемая конструкция делает его высокопроизводительным-основным компонентом для микрообработки, биомедицинского приборостроения, прецизионного зондирования и разработки лазерных модулей, для которых требуется надежный и стабильный оптический выходной сигнал.
Техническая спецификация
Артикул №: LC1064SE03
| Оптический | Мин | Введите | Макс | Единица |
| Центральная длина волны | 1054 | 1064 | 1074 | нм |
| Выходная мощность | 300 | мВт | ||
| Рабочий режим | CW | |||
| Ширина спектра | 5 | нм | ||
| Ширина эмиттера | 3 | хм | ||
| Ширина чипа | 250 | хм | ||
| Длина полости | 2000 | хм | ||
| Толщина стружки | 90 | хм | ||
| Быстрое расхождение по оси (FWHM) | 35 | 40 | град | |
| Медленное расхождение оси (FWHM) | 9 | 11 | град | |
| Режим поляризации | ТЭ | |||
| Эффективность уклона | 0.9 | W/A | ||
| Электрический | ||||
| Рабочий ток IOP | 410 | мА | ||
| Пороговый ток Ith | 100 | мА | ||
| Рабочее напряжение Vop | 1.7 | V | ||
| Эффективность разговора | 40 | % | ||
| Термальный | ||||
| Температура испытания | 25 | степень | ||
| Температурный коэффициент длины волны | 0.35 | нм/градус |
горячая этикетка : Поставщики лазерных чипов с одним излучателем, 300 МВт, 1064 нм, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае










