Диодные лазерные чипы мощностью 75 Вт, 905 нм
Краткие сведения:
Используется 4-слойная-светоизлучающая-секция с размером светоизлучающего материала 300 мкм x 16 мкм и эффективностью фотоэлектрического преобразования 41 %.
Угол расхождения быстрой оси составляет 30 градусов, а угол расхождения медленной оси составляет 10 градусов.
Особо стоит отметить, что этот чип обладает превосходной устойчивостью к высоким температурам.
Температурное испытание от 25 до 125 градусов Цельсия является тяжелым. На каждые 10 градусов повышения мощность снижается на 4%.
Приложения:
Лазерный лидар
Медицинское применение
Лазерное освещение
Оптическая связь в свободном пространстве.
Промышленная перекачка
Техническая спецификация:
Номер товара: LC905SM75
| Операция | |
| Центральная длина волны | 905 нм |
| Выходная мощность | 75W |
| Режим работы | ККВ |
| Геометрический | |
| Ширина эмиттера | 135ум |
| Длина полости | 1000ум |
| Толщина полости | 125ум |
| Ширина полости | 400ум |
| Электрооптические данные | |
| Пороговый ток | 0.68A |
| Рабочий ток | 20A |
| Рабочее напряжение | 6.3V |
| Эффективность уклона | 3.2W/A |
| Медленное расхождение по оси | 9 |
| Быстрое расхождение по оси | 27 |
| Спектральная ширина | 4 нм |
| поляризация | ТЭ |
горячая этикетка : Диодные лазерные чипы мощностью 75 Вт, 905 нм, поставщики, производители Китай, завод, оптовая торговля, сделано в Китае