Диодные лазерные чипы мощностью 3 Вт

Основным принципом диодных лазерных чипов EEL 3W (Emitting Laser Edge-) является процесс генерации фотонов посредством стимулированного излучения. Структура ЭЭЛ-лазера в основном состоит из трех частей: полупроводниковой активной области, источника накачки и оптического резонансного резонатора. Активная область является основной зоной генерации лазера. Источник накачки обеспечивает энергию для возбуждения электронов в активной области, а оптический резонансный резонатор отвечает за выбор мод и усиление фотонов и, наконец, формирует лазерный луч.