Диодный лазер со стабилизированным оптоволокном, длина волны 976 нм, 130 Вт,-

Поскольку полупроводниковый лазер имеет широкую кривую усиления, широкую зону свечения и поддерживает множество мод, причем каждая мода имеет разную частоту, выходной спектр полупроводникового лазера широк. В то же время выходной спектр полупроводникового лазера также будет меняться при небольших изменениях температуры или тока возбуждения, вызывая дрейф центральной длины волны выходного света и изменение ширины спектра. В настоящее время широко используемые волоконные лазеры используют активные волокна, легированные иттербием-, которые имеют два пика поглощения вблизи 915 нм и 976 нм. Пик поглощения около 915 нм соответствует низкой скорости поглощения, но широкому диапазону поглощения, а пик поглощения около 976 нм соответствует высокой скорости поглощения, но узкому диапазону поглощения. Следовательно, при использовании полупроводникового лазера с центральной длиной волны света 976 нм в качестве источника накачки для волоконного лазера требуется синхронизация длины волны, чтобы полупроводниковый лазер мог стабильно излучать свет с подходящей центральной длиной волны и сужать ширину выходного спектра. Для твердотельных лазеров и газовых лазеров с узкими пиками поглощения, особенно газовых лазеров с шириной зоны поглощения менее 1 нм, также необходимо синхронизировать длину волны полупроводникового лазера при использовании полупроводникового лазера в качестве источника накачки, чтобы полупроводниковый лазер мог стабильно излучать свет с подходящей центральной длиной волны и сужать ширину выходного спектра.