Модуль диодного лазера с оптоволокном, 2 Вт, 808 нм

Компактный дизайн

Многомодовое волокно 105 мкм, NA 0,22

Герметичный, электрически изолированный корпус.

Основание с высокой теплопроводностью-и волокно малого-диаметра делают этот продукт идеальным для приложений, требующих большей надежности и большей яркости.

Медицинское лазерное лечение, накачка, другое

Преимущества 808-нм источника накачки в основном включают высокую эффективность преобразования, низкую стоимость и тесную интеграцию. Одним из наиболее важных применений полупроводниковых лазеров с длиной волны 808 нм в качестве источников накачки является источник накачки твердотельных-лазеров. Сегодня он практически заменил традиционные источники ламповой накачки. Основная причина этого изменения — высокая эффективность преобразования, которую невозможно достичь с помощью традиционных ламповых насосов. Полупроводниковый лазер с длиной волны 808 нм обладает характеристиками квантовых эффектов благодаря своей чрезвычайно тонкой активной области, что значительно снижает пороговый ток устройства и улучшает выходную мощность и квантовую эффективность лазера, тем самым достигая высокой эффективности преобразования.